红外探测器材料技术是红外技术发展的核心和基础。近年来，随着固态技术的发展和半导体材料提纯和生长工艺的进步，红外探测器材料技术有了巨大的发展。
这其中，多色、硅或锗衬底碲镉汞异质外延薄膜材料技术易于实现大尺寸、低成本，能提高探测器识别目标的能力，增加其抗干扰能力与带宽，是第三代红外探测器发展的关键材料之一，代表了红外探测器材料技术发展的重要方向。
量子阱红外探测器材料近年来发展迅速，长波阵列的性能已于碲镉汞阵列的性能相当。它具有独特的结构特点，更易于实现大规格和多色探测能力，也是红外探测器材料技术的一个重要发展方向。
非制冷红外探测器材料具有低成本、低功耗、高可靠性等优势，能满足第三代红外探测器的高工作温度要求，是未来小型低成本热像仪的主流材料，未来的发展方向是继续缩小像素尺寸，改善温度灵敏度和空间分辨力，缩短响应时间和降低成本。