红外探测器材料是发展红外探测器以至热成像技术的基础，它和红外探测器的发展相辅相成。
虽然早在19世纪就有了红外探测器，而且在第一次世界大战期间Ti2S红外探测器已用于军事目的，但只是到了第二次世界大战期间有了PbS探测器以后，红外探测器技术才受到了人们广泛的重视并得到了迅速的发展。
新的探测器材料不断被研制出来，探测器的响应波段很快就复盖了1—3μm，3—5μm和8—12μm三个大气窗口，与此同时，红外探测器材料质量的不断改善使探测器的性能也不断得到提高，有的达到了背景限，促进了红外技术的全面发展。
众多的红外探测器材料，大体上可分为半导体光电探测器材料和热敏探测器材料，包括热释电材料和热敏电阻材料，在这些材料的发展中，值得提出的是：
1、1958年发明的HgTe和CdTe的混品，它不仅把这类探测器材料的研究推进到了一个更加强劲的发展阶段，也成为热成像技术的发展尊定了紧实的基础。
2、50年代中期，研制成功TGS晶体以后，使制造工艺相对简单，成本低廉的热释电探测器得到了大的提高和发展，大大促进了红外技术在民用市场的开发。
3、80年代中期，高温（＞77K）超导材料的出现，使高温超导探测器的研制成为一个新的热点，也使这种几乎不受工作波段限制的红外探测器的大量开发和使用成为现实。