铂上一氧化碳氧化中的关闭浓度现象和铂薄膜的电阻或表面电位的平行陡峭变化被用于开发碳检测器。
在铂膜上涂上越来越厚的聚四氟乙烯 (PTFE) 会使这个关断点移向增加 CO 浓度。
因此,由校准厚度的 PTFE 覆盖的一系列电气元件、铂薄膜电阻、铂 MOS 二极管或铂栅极 MOS 晶体管将在确定的 CO 浓度下关闭,并且可以继续作为数字检测器的基础。
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铂上一氧化碳氧化中的关闭浓度现象和铂薄膜的电阻或表面电位的平行陡峭变化被用于开发碳检测器。
在铂膜上涂上越来越厚的聚四氟乙烯 (PTFE) 会使这个关断点移向增加 CO 浓度。
因此,由校准厚度的 PTFE 覆盖的一系列电气元件、铂薄膜电阻、铂 MOS 二极管或铂栅极 MOS 晶体管将在确定的 CO 浓度下关闭,并且可以继续作为数字检测器的基础。