红外探测器以军用为中心正在迅速发展，其应用范围涉及侦察/监视、射击控制和制导等，前景十分广阔。但是，它的发展水平取决于相关技术的水平，包括制造探测器的半导体技术及真空容器技术和冷却探测器的极低温技术。
热型探测器的主流是热电探测器，为提高性能，必须开发薄膜制备技术。而双色探测器需要考虑的问题是宽带红外膜层的制备、透双色红外材料选择及器件表面红外镀膜等。如果与紫外波段综合使用，除紫外探测器制备之外，这也是要解决的问题。
在超导红外探测器的制备上，超导薄膜和绝缘层的制备都存在一定的困难。另外，GaAs探测器与HgCdTe探测器一样，必须冷却到77K才能工作，需用液氮冷却。GaAs与单一的硅元素不同，子啊结晶过程中内部容易产生缺陷，给集成电路的高集成化带来困难，这有待于进一步研究克服。