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红外探测器材料技术的重要性

[2020/4/3]

  红外探测器材料技术是红外技术发展的核心和基础。几年来,随着固态技术的发展和半导体材料提纯和生长工艺的进步,红外探测器材料技术有了巨大的进展。

  这其中,多色、硅或锗衬底碲镉汞异质外延薄膜材料技术易于实现大尺寸、低成本,能提高探测器识别目标的能力,增加其抗干扰能力与带宽,是第三代红外探测器发展的关键材料之一,代表了红外探测器材料技术发展的重要方向。

  量子阱红外探测器材料近年来发展迅速,长波阵列的性能已于碲镉汞阵列的性能相当。它具有独特的结构特点,更易于实现大规格和多色探测能力,也是红外探测器材料技术的一个重要发展方向。

  非制冷红外探测器材料具有低成本、低功耗、高可靠性等优势,能满足第三代红外探测器的高工作温度要求,是为了小型低成本热像仪的主流材料,未来的发展方向是继续缩小像素尺寸,改善温度灵敏度和空间分辨力,缩短响应时间和降低成本。

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